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产品说明：OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 正常电平 120 V，采用 TOLL 封装
封装：PG-HSOF-8
产品说明：N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
封装：PG-WHTFN-9
产品说明：N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02
封装：PG-WHSON-8
产品说明：OptiMOS™ 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封装，具有极低的 RDS(on)。
封装：PG-WHSON-8
产品说明：OptiMOS™ 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心栅 DSC 封装，具有极低的 RDS(on)
封装：PG-WHTFN-9
产品说明：N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02
封装：PG-WHSON-8
产品说明：OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心栅 DSC 封装，具有业界领先的 RDS(on)
封装：PG-WHTFN-9
产品说明：N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
封装：PG-WHTFN-9
产品说明：OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封装，具有业界领先的 RDS(on)
封装：PG-WHSON-8
产品说明：OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V 正常电平，采用 PQFN 5x6 下源中心栅 DSC 封装
封装：PG-WHTFN-9
产品说明：OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封装，具有极低的 RDS（on）
封装：PG-WHSON-8
产品说明：OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V，采用 PQFN 5x6 下源中心栅 DSC 封装，具有极低的 RDS(on)
封装：PG-WHTFN-9
产品说明：600 V CoolMOS S7T功率MOSFET
封装：PG-HDSOP-22
产品说明：600 V CoolMOS S7T功率MOSFET
封装：PG-HDSOP-22电话咨询：86-755-83294757
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