IRF1310NPBF是一款100V 单 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封装。
特性——IRF1310NPBF
平面单元结构,适用于宽 SOA
经过优化,可从分销合作伙伴处获得最广泛的供应
产品符合 JEDEC 标准
针对开关频率低于 100kHz 的应用进行了硅优化
行业标准表面贴装电源封装
高额定电流
优点——IRF1310NPBF
更坚固耐用
分销合作伙伴供货范围广
符合行业标准
低频应用中的高性能
可直接替换现有设备
大电流能力
规格——IRF1310NPBF
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 36 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 110 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 160W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
型号
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封装
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描述
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