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BSZ42DN25NS3G

产品说明:250V OptiMOS™ 3 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TSDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPD14N06S2-80

产品说明:55V 80mΩ OptiMOS™ 汽车 MOSFET 晶体管

封装:PG-TO252-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRF1310NPBF

产品说明:通孔 N 通道 100 V 42A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB

封装:TO-220
10起
30000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPD90P03P4L-04

产品说明:-30V,P-Ch,最大 4.5 mΩ,汽车 MOSFET,DPAK,OptiMOS™-P2

封装:PG-TO252-3
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC028N06LS3G

产品说明:MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS™3

封装:PG-TDSON-8
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPD70R600P7S

产品说明:表面贴装型 N 通道 700 V 8.5A(Tc) 43W(Tc) PG-TO252-3

封装:PG-TO252-3
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL26N60DM6
ST

产品说明:N沟道600 V、175 mOhm典型值、15 A MDmesh DM6功率MOSFET,PowerFLAT 8x8 HV封装

封装:PowerFLAT 8x8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPC100N04S5-2R8

产品说明:40V,N-通道,最大 2.8 mΩ,汽车 MOSFET,SSO8 (5x6),OptiMOS™-5

封装:PG-TDSON-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE008N03LM5SC

产品说明:OptiMOS™ 低电压 30V N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-WHSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISC055N15NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISC044N15NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUTN08S5N012L

产品说明:N 沟道 OptiMOS™ 5 汽车 MOSFET 晶体管

封装:PG-HSOF-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN04S7N056D

产品说明:N 沟道 OptiMOS™ 7 汽车 MOSFET 晶体管

封装:PG-TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPW60R037P7

产品说明:600V CoolMOS™ P7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPW60R160P6

产品说明:CoolMOS™ P6 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB025N10N3G

产品说明:OptiMOS™ 100V N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TO263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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