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IPD70R600P7S是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，属于 CoolMOS™ P7 系列，采用 TO-252-3（DPAK）封装，适用于高压、高频开关应用，如 电源适配器、充电器、工业电源和电机驱动 等领域。

IPD70R600P7S核心特性

高耐压与低导通电阻

600V 击穿电压（VDSS），适用于高压应用。

7mΩ 超低导通电阻（RDS(on) @10V），减少功率损耗，提高效率。

高速开关性能

低栅极电荷（Qg = 120nC），优化开关速度，降低开关损耗。

优化的 Eon/Eoff 能量，适用于高频 PWM 控制电路。

优异的热性能

结温范围 -55°C ~ +175°C，适应严苛工作环境。

低热阻（RthJC = 2.9 K/W），提高散热效率。

集成保护功能

内置齐纳二极管，增强 ESD 防护（HBM 2 级）。

优化的 VGS(th) = 3V ±0.5V，确保稳定驱动。

IPD70R600P7S产品属性

系列：CoolMOS™ P7  

FET 类型： N 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 700 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） ：10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 @ 1.8A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V @ 90µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） ：10.5 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±16V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF @ 400 V  

功率耗散（最大值）： 43W（Tc）  

工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： PG-TO252-3 

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