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STB120NF10T4是意法半导体推出的 N沟道增强型功率MOSFET，属于 STripFET™ II 系列，采用 TO-263-3（D2PAK）封装，适用于高电流、高耐压 应用场景。该器件具有 低导通电阻和高开关速度，广泛应用于 电源管理、电机驱动、工业控制等领域。

STB120NF10T4产品属性

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 110 A

Rds On-漏源导通电阻: 10.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 172 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 312 W

通道模式: Enhancement

STB120NF10T4 主要特性

低导通电阻：10.5mΩ @ 60A, 10V，减少导通损耗，提高效率。

高电流承载能力：110A 连续电流，适用于大功率开关应用。

快速开关性能：上升时间 90ns，下降时间 68ns，优化 PWM 控制效率。

工业级可靠性：100% 雪崩测试，确保器件在高压瞬态下的稳定性。

符合 RoHS 标准，无铅封装，适用于环保要求严格的场景。

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