ISC055N15NM6 OptiMOS™ 6 150 V 正常电平在竞争激烈的 150 V 市场中创造了新的性能水平。
OptiMOS™ 6 150 V 技术旨在满足高、低开关频率应用以及硬开关和软开关的要求。
ISC055N15NM6 的特性
极低的 RDS(on)
FOMg 比 OptiMOS™ 5 低 20
150 V 时的业界最低 Qrr
与 OptiMOS™ 5 相比,二极管软性得到改善
+/-500 mV 的严格 Vgs(th) 分布
高雪崩坚固性
最大 Tj 为 175°C
ISC055N15NM6 的优势
低导通和开关损耗
稳定运行,改善 EMI
并联时可更好地分担电流
优化 PCB 面积利用率
增强了稳健性
提高系统可靠性
ISC055N15NM6 的应用
储能系统
工业电源
光伏
服务器电源装置 (PSU)
电信基础设施
型号
品牌
封装
数量
描述
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IPD70R360P7S 是英飞凌推出的一款 N 沟道功率 MOSFET,基于先进的 Trench MOSFET 技术,融合了 700V CoolMOS™ P7 超结技术,具备超低导通电阻和快速开关特性,专为高效率功率转换应用设计。S25FL128SDSMFBG10
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S79FL256SDSMFBG03 Dual QSPI 闪存是一种高性能、低引脚数的NOR闪存产品 ,特别适合嵌入式系统应用。它将两个QSPI设备集成在一个封装中,扩展了总线宽度从四位增加到八位,从而提升了内存吞吐量。这种设计使得数据传输速度更快,适合需要高数据传输速率的应用场景。S79…S70FL01GSDSBHMC10
S70FL01GSDSBHMC10 Quad SPI 闪存是一种高性能的存储解决方案,特别适用于需要高数据传输速率和大量内存的应用场景。该产品通过四条数据线(I0、I1、I2、I3)实现数据的读取、写入和擦除操作,每个时钟周期可以传输多个比特(通常是4个比特),从而大大提高了数据传输速率…电话咨询:86-755-83294757
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