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IPP075N15N3G 是一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装，专为高效率电源转换和高功率应用而设计。作为OptiMOS™系列的一员，该器件在150V电压等级中实现了行业领先的OptiMOS™ R DS(on) 和品质因数（FOM），相比次优竞品降低了40%的导通电阻和45%的FOM。这一显著改进使设计者能够用单个OptiMOS器件替代原有的两个并联器件，或从插件封装转向更紧凑的SMD封装。

IPP075N15N3G 技术参数

漏源电压（Vdss）：150V

连续漏极电流（Id）：100A

功率（Pd）：300W

导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ@10V,100A

阈值电压（Vgs(th)）：4V@270uA

栅极电荷（Qg）：93nC

工作温度范围：-55℃至+175℃

IPP075N15N3G 产品特性

低导通电阻：有助于减少传导损耗，提高能效。

优异的开关性能：快速的开关速度减少开关过程中的能量损耗。

出色的热管理能力：TO-220封装设计增强散热性能，确保高功率下稳定运行。

符合RoHS标准：环保且满足国际法规要求。

IPP075N15N3G 潜在应用

AC-DC SMPS的同步整流

适用于48V-80V系统的电机控制（即家用车辆、电动工具、卡车）

隔离式 DC-DC 转换器（通信和数据通信系统）

48V系统的开关和断路器

D 类音频放大器

不间断电源(UPS)

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