商品名称:PSMN2R5-60PLQ
数据手册:PSMN2R5-60PLQ.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封装:TO-220-3
货期:全新原装
库存数量:1000 件
PSMN2R5-60PLQ采用TrenchMOS技术的SOT78逻辑电平N沟道MOSFET。产品设计和制造已针对电池供电电动工具的使用进行了优化。
规格
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):223 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):349W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220AB
封装/外壳:TO-220-3
基本产品编号:PSMN2R5
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
安世半导体(中国)有限公司 Nexperia是全球领先的分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商。公司于2017年初独立。Nexperia极为重视效率,生产大批量性能可靠稳定的半导体元件,每年生产1,000多亿件性能可靠稳定的半导体元件。公司拥有丰富的产品组合,能够满足汽车…
PMZ290UNE2
PMZ290UNE2 N沟道MOSFET是一款增强模式场效应晶体管 (FET),具有低阈值电压和快速开关功能。这些MOSFET有两种型号,分别为2kV HBM和大于2kV HBM静电放电保护这两种型号。PMZ290UNE2 MOSFET采用1.0mm 0.6mm x 0.48mm无引线小型DFN1006-3 (SOT883) SMD塑料封装,并采用沟槽…PSMNR90-40YLHX
PSMNR90-40YLHX 300 安培、逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET,采用 175 C LFPAK56E 封装,采用先进的 TrenchMOS 超结技术。该产品专为高性能功率开关应用而设计并通过了认证。特性和优势300 A 连续负载(最大值)雪崩额定值,100% 通过测试NextPower-S3 技术提供 &a…PSMNR55-40SSHJ
PSMNR55-40SSHJ 500 安培连续电流、标准级栅极驱动、N 沟道增强模式 MOSFET,采用 LFPAK88 封装。NextPowerS3 系列采用 Nexperia 独特的 "SchottkyPlus "技术,具有高能效和低尖峰性能,这些性能通常与集成了肖特基二极管或肖特基类二极管的 MOSFET 有关,但不…PSMN2R0-100SSFJ
PSMN2R0-100SSFJ NextPower 100 V 标准电平栅极驱动 MOSFET。耐温高达 175 C,建议用于工业和消费类应用。特性和优势低 Qr,可实现更高的效率和更低的尖峰脉冲267 安培负载(最大)连续额定电流低 QG x Roson FOM,适用于高效开关应用强大的雪崩能量额定值 (Eas)雪崩额定…PSMN1R0-30YLEX
PSMN1R0-30YLEX N 沟道热插拔增强型 ASFET,采用 LFPAK56 封装,具有增强的 SOA,优化了低 RDSon 和强大的安全工作区,适用于热插拔、浪涌和线性模式应用。特性和优势全面优化的安全工作区 (SOA),可实现出色的线性模式操作针对低 Roson 1 低 IR 传导损耗进行了优化LFPAK…PSMN1R4-40YSHX
PSMN1R4-40YSHX是一种高性能25V、30V和40V MOSFET平台,集成了Nexperia独特的超级结技术。NextPowerS3采用铜夹LFPAK封装,提供低导通电阻,并具有高达380A的持续电流能力。NextPowerS3 MOSFET具有同步工作参数,是定位独特的高性能、高可靠性MOSFET,性能不受影响。产品属…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: