GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒装封装,具有低电感、低开关损耗和高可靠性。
GAN039-650NTBZ的规格:
FET 类型:N 通道
技术:GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):58.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):39 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):26 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1980 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):250W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:CCPAK1212i
封装/外壳:12-BESOP(0.370",9.40mm 宽),裸焊盘
应用
电信/服务器钛金级电源
工业车辆充电
太阳能 (PV) 逆变器
交流伺服驱动器/变频器
电池存储/UPS逆变器
型号
品牌
封装
数量
描述
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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