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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

图片仅供参考,请参阅产品规格
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商品型号:GAN039-650NTBZ

商品名称:GaN FET

品牌:Nexperia

年份:24+

封装:CCPAK1212i

货期:全新原装

库存数量:3000

数量:
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公司名称:

技术参数

制造商
Nexperia
型号
GAN039-650NTBZ
封装
CCPAK1212i
描述
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i

产品描述

GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒装封装,具有低电感、低开关损耗和高可靠性。


GAN039-650NTBZ的规格:

FET 类型:N 通道

技术:GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss):650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):58.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):39 毫欧 @ 32A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):26 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1980 pF @ 400 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):250W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

等级:-

资质:-

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:CCPAK1212i

封装/外壳:12-BESOP(0.370",9.40mm 宽),裸焊盘


应用

电信/服务器钛金级电源

工业车辆充电

太阳能 (PV) 逆变器

交流伺服驱动器/变频器

电池存储/UPS逆变器


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型号

品牌

封装

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描述

GAN039-650NBBHP

Nexperia

CCPAK1212

3000

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650V 170mΩ GaN FET,带集成驱动器、保护和电流检测功能

LMG3426R030RQZR

TI

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2000

600V 30mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电压检测功能

LMG2100R044RARR

TI

WQFN-16

2000

100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET,带集成驱动器和保护功能

A5G26H605W19NR3

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1000

2496–2690MHz,85W平均值,48V Airfast®射频功率GaN晶体管

A5G21H605W19NR3

NXP

OM- 780- 4S4S

1000

2110-2200MHz,85W平均值,48V Airfast®射频功率GaN晶体管

GAN063-650WSAQ

Nexperia

TO-247-3

1000

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GAN041-650WSBQ

Nexperia

TO-247-3

1000

通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3

常见问题

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安世半导体(中国)有限公司 Nexperia是全球领先的分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商。公司于2017年初独立。Nexperia极为重视效率,生产大批量性能可靠稳定的半导体元件,每年生产1,000多亿件性能可靠稳定的半导体元件。公司拥有丰富的产品组合,能够满足汽车…

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