NGW75T65H3DFQ - IGBT 单管 - 深圳市明佳达电子有限公司

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图片仅供参考，请参阅产品规格

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商品型号：NGW75T65H3DFQ

商品名称：IGBT 单管

品牌：Nexperia

年份：25+

封装：TO-247-3

货期：全新原装

库存数量：1500 件

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公司名称：

技术参数

制造商

Nexperia

型号

NGW75T65H3DFQ

封装

TO-247-3

描述

650 V，75 A 沟槽型场截止IGBT，带全额定硅二极管

产品描述

NGW75T65H3DFQ是一款鲁棒的绝缘栅双极晶体管(IGBT)，采用第三代技术。它结合了载流子存储的沟槽栅和场截止(FS)结构。NGW75T65H3DFQ的额定温度为175°C，具有优化的IGBT关断损耗。其功能和技术规格如下：

功能

集电极电流 (IC) 额定值高达75A

低导通和开关损耗

稳定且紧密的参数，便于并联操作

完全额定为快速软反向恢复二极管

最高结温：175 °C

符合RoHS标准，无铅电镀

主要规格

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，75A

功率 - 最大值：600 W

开关能量：2.9mJ（导通），1.1mJ（关断）

输入类型：标准

栅极电荷：160 nC

25°C 时 Td（开/关）值：29ns/170ns

测试条件：400V，75A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：165 ns

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

NGW75T65H3DFQ IGBT经过优化，非常适合用于高压低频工业功率逆变器和伺服电机驱动应用。

常见问题

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