PSMNR51-25YLHX - N 沟道 MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：PSMNR51-25YLHX

商品名称：PSMNR51-25YLHX

数据手册：PSMNR51-25YLHX.pdf

品牌：Nexperia

年份：23+

封装：LFPAK56

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

Nexperia

型号

PSMNR51-25YLHX

封装

LFPAK56

描述

表面贴装型 N 通道 25 V 380A（Ta） 333W（Ta） LFPAK56; Power-SO8

产品描述

PSMNR51-25YLHX 25V逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56E封装，针对低RDSON、低IDSS泄漏（即使在过热时）、高效率和高电流进行了优化。额定电流为380 A，针对直流负载开关和热插拔应用进行了优化。

规格

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：380A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.57 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：113 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6990 pF @ 12 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：333W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：LFPAK56; Power-SO8

封装/外壳：SOT-1023，4-LFPAK

基本产品编号：PSMNR51

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

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答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
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答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。