NVMFS2D3P04M8L - P 沟道 MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：NVMFS2D3P04M8L

商品名称：P 沟道 MOSFET

品牌：ON

年份：25+

封装：DFN5

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

制造商

型号

NVMFS2D3P04M8L

封装

DFN5

描述

P-通道功率MOSFET，-40 V，-222 A，2.2 mΩ，DFN5

NVMFS2D3P04M8L 器件是一款由（onsemi）生产的功率MOSFET ，属于P沟道类型，采用 DFN5 封装，具有-40 V的漏源电压和-222 A的连续漏极电流‌‌。该器件的导通电阻为2.2mΩ，工作温度范围为-55℃至+175℃，适用于汽车电子。

关键规格

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Ta），222A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.2 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 2.7mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5985 pF @ 20 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），205W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

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答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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