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NCV887001D1R2G是一款可调输出非同步升压控制器，用于驱动外部 N 沟道 MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制，并内置斜率补偿功能。该 IC 内置一个内部调节器，为栅极驱动器提供充电。保护功能包括内部设置的软启动、欠压锁定、周期性电流限制、短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。

NCV887001D1R2G 特性

峰值电流模式控制，带内部斜率补偿

1.2 V ±2% 参考电压

固定频率操作

宽输入电压范围：3.2 V 至 40 Vdc，45 V 负载突降

输入欠压锁定 (UVLO)

内部软启动

睡眠模式下低静态电流

周期性电流限制保护

间歇模式过流保护（OCP）

间歇模式短路保护（SCP）

热关断（TSD）

NCV 前缀适用于汽车及其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q100 标准并支持 PPAP

该器件为无铅产品

NCV887001D1R2G 产品属性

产品种类: 开关控制器

拓扑结构: Boost

输出端数量: 1 Output

开关频率: 100 kHz

占空比 - 最大: 93 %

输出电压: 2.5 V

输出电流: 100 uA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

资格: AEC-Q100

绝缘: Non-Isolated

工作电源电流: 3 mA

工作电源电压: 3.2 V to 40 V

NCV887001D1R2G 应用

启停系统

SEPIC（非反相降压升压）

直接燃油喷射

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