描述:IPB120P04P4-04 P沟道汽车用功率MOSFET,采用OptiMOS-P2和Gen5技术。该MOSFET符合AEC标准,支持175°C工作温度。该器件采用D2PAK封装。
规格
产品种类 :MOSFET
封装 / 箱体 :D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性 :P-Channel
通道数量 :1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 :40 V
Id-连续漏极电流 :120 A
Rds On-漏源导通电阻 :3.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压 :- 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压 :2 V
Qg-栅极电荷 :158 nC
最小工作温度 :- 55°C
最大工作温度 :+ 175°C
Pd-功率耗散 :136 W
通道模式 :增强型
资格 :AEC-Q101
系列 :OptiMOS-P2
配置 :单个
下降时间 :52 ns
高度 :4.4 mm
长度 :10 mm
上升时间 :20 ns
典型关闭延迟时间 :49 ns
典型接通延迟时间 :30 ns
宽度 :9.25 mm
单位重量 :4 g
型号
品牌
封装
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描述
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