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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:NVGS3443T1G

商品名称:P 沟道 MOSFET

品牌:ON

年份:24+

封装:TSOP-6

货期:全新原装

库存数量:10000

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公司名称:

技术参数

制造商
ON
型号
NVGS3443T1G
封装
TSOP-6
描述
单 P 沟道功率 MOSFET -20V、-4.4A、65mΩ

产品描述

NVGS3443T1G 是一款高性能P沟道MOSFET,适用于多种电源管理和信号控制应用。该芯片采用TSOP-6封装,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于汽车电子、电源管理和电池管理系统。


NVGS3443T1G 技术规格

类型:P沟道MOSFET

漏源电压(Vdss):-20V

连续漏极电流(Id):最高可达4.4A(Ta=25°C)

导通电阻(RDS(on)):65mΩ(@4.5V,4.4A)

工作温度范围:-55°C至+150°C(Tj)

封装形式:TSOP-6

其他特性:

阈值电压(Vgs(th)):1.5V

栅极电荷(Qg):7.5nC(@4.5V)

输入电容(Ciss):565pF(@5V)

反向传输电容(Crss):120pF

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