NVGS3443T1G 是一款高性能P沟道MOSFET,适用于多种电源管理和信号控制应用。该芯片采用TSOP-6封装,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于汽车电子、电源管理和电池管理系统。
NVGS3443T1G 技术规格
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(Vdss):-20V
连续漏极电流(Id):最高可达4.4A(Ta=25°C)
导通电阻(RDS(on)):65mΩ(@4.5V,4.4A)
工作温度范围:-55°C至+150°C(Tj)
封装形式:TSOP-6
其他特性:
阈值电压(Vgs(th)):1.5V
栅极电荷(Qg):7.5nC(@4.5V)
输入电容(Ciss):565pF(@5V)
反向传输电容(Crss):120pF
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