NVMFS9D6P04M8LT1G是一款单 P 沟道功率MOSFET。
特点
占用空间小,设计紧凑
低 RDS(on),可将传导损耗降至最低
低电容,将驱动器损耗降至最低
NVMFWS9D6P04M8L - 可湿侧面产品
通过 AEC-Q101 认证并可执行 PPAP
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 规范
产品属性
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :17.1A(Ta),77A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 580µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14.47 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2002 pF @ 20 V
功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),75W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线
型号
品牌
封装
数量
描述
ON
8-WDFN
3000
表面贴装型 P 通道 30 V 13.4A(Ta),47.6A(Tc) 2.66W(Ta),33.8W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
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