NTMFS003P03P8Z是一款由(onsemi)制造的单 P 通道功率MOSFET,具有-30 V的漏源电压和 -234 A的连续漏极电流。该器件的导通电阻为1.8 mΩ,工作温度范围为-55℃至+150℃,适用于各种高功率应用场景。
技术规格
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.1A(Ta),234A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.8 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):167 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):12120 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):900mW(Ta),139W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SO-8FL
NTMFS003P03P8Z 典型应用
• 电力负载开关
• 保护:反向电流、过压和反向负电压
• 电池管理
型号
品牌
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描述
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