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NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET设计用于处理大电流，这对于直流-直流电源转换级至关重要。这款40V、207A、单N沟道功率MOSFET具有更低的导通电阻、更高的功率密度以及出色的散热性能。该屏蔽栅极沟槽设计具有超低栅极电荷和1.3mΩ RDS(on) 。紧凑型3.3mmx3.3mm下源双冷第二代封装无铅、无卤、无BFR，符合RoHS指令。该NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET设计用于为数据中心和云应用提供高效解决方案。

主要规格

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：207A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.3 毫欧 @ 24A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 120µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 6 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3480 pF @ 20 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：107W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：9-WDFN（3.3x3.3）

应用领域

NTTFSSCH1D3N04XL主要用于人工智能数据中心的直流-直流转换器 （DC/DC），支持多级电压转换方案中的大电流处理。

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