BSP613P 是英飞凌 SIPMOS® 系列的 P 沟道增强型小信号 MOSFET,采用沟槽(Trench)工艺制造,专为 60 V 中压、2.9 A 级别的负载开关、反向极性保护及高侧驱动而设计。BSP613P以 PG-SOT223-4(同 SOT-223)表面贴装封装供货,已通过 AEC-Q101 认证,满足车规可靠性要求 。
BSP613P 产品参数
通道类型:P沟道(Enhancement Mode)
最大漏源电压(VDS):60V
连续漏极电流(ID):2.9A(Ta=25°C)
脉冲漏极电流(IDM):11.6A
栅源电压(VGS):±20V
输入电容(Ciss):715pF @ VDS = -25V
栅极电荷(Qg):22nC @ VGS = -10V
封装:SOT-223-4(带散热焊片)
符合标准: AEC-Q101, RoHS
BSP613P 特性
增强模式
正常级别
雪崩额定值
快速切换
dv/dt 额定值
无铅镀铅
符合 RoHS 标准,无卤素
符合汽车标准
支持 PPAP
BSP613P 应用
电子稳定控制
电动助力转向 (EPS)
电动汽车牵引逆变器
可编程逻辑控制器 (PLC)
型号
品牌
封装
数量
描述
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S29GL01GT11TFIV13是采用45纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™闪存产品。该系列器件具备15纳秒的快速页面访问时间,随机访问时间可达100纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想选择,可满足更高…S29GL01GS11TFV013
S29GL01GS11TFV013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…电话咨询:86-755-83294757
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