BSP613P 是英飞凌 SIPMOS® 系列的 P 沟道增强型小信号 MOSFET，采用沟槽（Trench）工艺制造，专为 60 V 中压、2.9 A 级别的负载开关、反向极性保护及高侧驱动而设计。BSP613P以 PG-SOT223-4（同 SOT-223）表面贴装封装供货，已通过 AEC-Q101 认证，满足车规可靠性要求 。
BSP613P 产品参数
通道类型：P沟道（Enhancement Mode）
最大漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）：2.9A（Ta=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：11.6A
栅源电压（VGS）：±20V
输入电容（Ciss）：715pF @ VDS = -25V
栅极电荷（Qg）：22nC @ VGS = -10V
封装：SOT-223-4（带散热焊片）
符合标准： AEC-Q101, RoHS
BSP613P 特性
增强模式
正常级别
雪崩额定值
快速切换
dv/dt 额定值
无铅镀铅
符合 RoHS 标准，无卤素
符合汽车标准
支持 PPAP
BSP613P 应用
电子稳定控制
电动助力转向 (EPS)
电动汽车牵引逆变器
可编程逻辑控制器 (PLC)
型号
品牌
封装
数量
描述
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