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IXTA26P20P 采用 Littelfuse 专利 Polar™ 工艺制造，P 沟道增强型功率 MOSFET，TO-263（D²Pak-3L）表面贴装封装，兼具低导通电阻与低栅极电荷，易于并联，可承受高 dv/dt 与雪崩能量，适合高频、高功率密度应用。

IXTA26P20 关键特性

• 低 RDS(on)：典型 140 mΩ，最大 170 mΩ（@ VGS = 10 V, ID = 13 A）

• 低栅极电荷：Qg = 56 nC（典型 @ VGS = 10 V）

• 快速开关：上升/下降时间 < 100 ns，易于高频驱动

• 高功率密度：300 W（Tc = 25 °C）

• 雪崩与 dv/dt 额定，温度系数正，便于并联均流

IXTA26P20 产品属性

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 26 A

Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 56 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

IXTA26P20 典型应用

• 高边开关：汽车、工业 24 V / 48 V 母线

• 同步降压或升压 DC-DC 转换器

• 电机驱动：直流/无刷电机 H 桥高边臂

• 电源管理：电池保护、电子保险丝、固态继电器

• 测试与测量设备的大电流切换与负载控制

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