商品名称：IMW65R048M1HXKSA1
品牌：INFINEON
年份：23+
封装：TO-247-3
货期：全新原装
库存数量：5000 件
IMW65R048M1HXKSA1是照明和工业SMPS应用的理想选择，它融合了一流的性能和最先进的易用性。
IMW65R048M1HXKSA1的产品属性
FET类型： N-沟道
技术： SiCFET (碳化硅)
漏极至源极电压（Vdss）： 650 V
电流 - 连续漏极（Id） @ 25°C： 39A (Tc)
驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）： 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs： 64mOhm @ 20.1A, 18V
Vgs(th)（最大值）@ Id： 5.7V @ 6mA
栅极电荷（Qg）（最大值）@ Vgs： 33 nC @ 18 V
Vgs（最大）： +23V, -5V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds： 1118 pF @ 400 V
功率耗散（最大）： 125W (Tc)
工作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型： 通孔
供应商器件封装： PG-TO247-3-41
封装/外壳：TO-247-3
IMW65R048M1HXKSA1的特点
在较高的电流下具有优化的开关行为
具有低Qmr的换向稳健的快速体二极管
卓越的栅极氧化可靠性
集成电路芯片N通道650V 39A IMW65R048M1HXKSA1单晶体管
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
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S70KS1282GABHA020
S70KS1282GABHA020 是具有 HYPERBUS™ 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控器（主机）不主动读写存储器时，器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，因此在主机看来，DRA…
S70KS1282GABHI020
S70KS1282GABHI020 是具有 HYPERBUS™ 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控器（主机）不主动读写存储器时，器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，因此在主机看来，DRA…
S70KS1282GABHB020
S70KS1282GABHB020 是具有 HYPERBUS™ 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控器（主机）不主动读写存储器时，器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，因此在主机看来，DRA…
S70KL1282DPBHB023
S70KL1282DPBHB023 是具有 HYPERBUS™ 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控器（主机）不主动读写存储器时，器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，因此在主机看来，DRA…
S70KL1282DPBHB020
S70KL1282DPBHB020 是具有 HYPERBUS™ 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控器（主机）不主动读写存储器时，器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，因此在主机看来，DRA…电话咨询：86-755-83294757
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