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BSZ520N15NS3G 是英飞凌的 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ 3系列，采用 TDSON-8封装（3.3×3.3mm），适用于高效率电源转换、电机驱动及汽车电子等应用。该器件采用 先进的MOSFET技术，具有 低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度及优异的散热性能，可显著提升系统效率并减少PCB空间占用。

核心特性——BSZ520N15NS3G

低导通电阻：20mΩ（典型值），有效降低导通损耗，提高能效。

高电流能力：21A连续漏极电流（ID），适用于高功率应用。

快速开关性能：

上升时间5ns，下降时间3ns，减少开关损耗。

低栅极电荷（Qg=12nC @10V），优化驱动效率。

高耐压：150V漏源电压（VDS），适用于48V-80V系统。

车规级可靠性：符合 AEC-Q100 标准，工作温度 -55°C ~ +150°C。

小型封装：TDSON-8 表面贴装，节省PCB空间，优化散热设计。

关键参数

型号：BSZ520N15NS3G

封装：TDSON-8（3.3×3.3mm）

漏源电压（VDS）：150V

连续漏极电流（ID）：21A

导通电阻（RDS(on)）：20mΩ（典型值）

栅极电荷（Qg）：12nC @10V

输入电容（Ciss）：890pF @75V

开关时间：上升5ns / 下降3ns

工作温度：-55°C ~ +150°C

典型应用——BSZ520N15NS3G

电源转换：

AC-DC SMPS同步整流

DC-DC转换器（通信/数据中心）

电机控制：

电动工具、家用车辆（48V系统）

工业伺服驱动

汽车电子：

48V轻混系统（MHEV）

电池管理系统（BMS）

消费电子：

D类音频放大器

UPS不间断电源

产品优势——BSZ520N15NS3G

高功率密度：相比竞品，RDS(on)降低40%，FOM（品质因数）优化45%。

环保设计：符合 RoHS无卤素标准，适用于绿色能源应用。

简化设计：单芯片替代传统双MOSFET方案，减少BOM成本。

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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