欢迎来到深圳市明佳达电子有限公司

中文

中文
English

English

 日本語

日本語

 Русский

Русский

chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com

在线客服

topadv
深圳市明佳达电子有限公司
型号

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网 视频放大器 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器 模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器 仪表放大器 PCI Express 交换机

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

加速度计 磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

电阻器网络

首页 /分立半导体/N 沟道 MOSFET
图片仅供参考，请参阅产品规格
< >

商品型号：BSZ036NE2LSATMA1

商品名称：BSZ036NE2LSATMA1

数据手册：BSZ036NE2LSATMA1.pdf

品牌：INFINEON

年份：23+

封装：8-PowerTDFN

货期：全新原装

库存数量：5000 件

数量:
询价
在线询价

联系人：

联系邮箱：

联系电话：

公司名称：

技术参数

制造商
INFINEON
型号
BSZ036NE2LSATMA1
封装
8-PowerTDFN
描述
N-通道 25 V 16A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) 表面安装

产品描述

BSZ036NE2LSATMA1是N沟道功率MOSFET晶体管，极低的栅极和输出电荷，加上极低的导通电阻和小封装尺寸，使OptiMOS™ 25V成为要求严格的服务器、数据通信和通信稳压器解决方案的最佳选择。


BSZ036NE2LSATMA1的产品属性

零件编号：BSZ036NE2LSATMA1

Rds On - 漏极-源极电阻： 4.1 mOhms

Vgs - 栅极源电压：- 20 V，+ 20 V

Vgs th - 栅极-源极阈值电压：2 V

Qg - 栅极电荷： 16 nC

最低工作温度：- 55 C


BSZ036NE2LSATMA1的特点

通过减少多相转换中的相位数来节省整体系统成本

在所有负载条件下降低功耗并提高效率

通过小型封装或封装的系统解决方案，如CanPAK™、S3O8等，节省空间。

大大降低系统EMI，无需外部缓冲网络，使产品更容易设计成


集成电路芯片BSZ036NE2LSATMA1 N沟道MOSFET晶体管 8-PowerTDFN


相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

STL220N6F7

ST

PowerFLAT 5x6

1500

N沟道 60 V，典型值 1.2 mΩ，120 A STripFET F7 功率MOSFET，采用PowerFLAT 5x6封装

IXFH60N50P3

IXYS

TO-247-3

20000

通孔 N 通道 500 V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-247AD（IXFH）

STL135N8F7AG

ST

PowerFLAT™ 5x6

15000

汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

STW40N95K5

ST

TO-247

8000

N沟道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装

STW48N60M6

ST

TO-247-3

1000

N沟道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-247封装

STF22NM60N

ST

TO-220-3

50000

N沟道600 V、0.2 Ohm、16 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，TO-220FP封装

NIS5132MN4TXGHW

ON

SOP-8

9000

高性能 N 沟道 MOSFET

IXTP160N10T

IXYS

TO-220-3

15000

通孔 N 通道 100 V 160A（Tc） 430W（Tc） TO-220-3

MRH25N12U3SR

Microchip

SMD

3000

250V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH15N19U3SR

Microchip

SMD

3000

150V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗？

    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗？

    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货？多久能到？

    答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗？

    答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。

INFINEON

INFINEON

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…

相关产品

更多
公司介绍
关于我们
新闻资讯
荣誉资质
库存查询
分类查询
供应商查询
帮助中心
在线询价
常见问题
网站地图
联系我们

电话咨询：86-755-83294757

企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585

服务时间：9:00-18:00

联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com

公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室

CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有  粤ICP备05062024号-12

官方二维码

品牌索引:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

友情链接:

skype:mjdsaler