商品名称:BSZ050N03LSGATMA1
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:8-PowerTDFN
货期:全新原装
库存数量:4000 件
功率 MOSFET 晶体管 BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN 集成电路芯片
产品介绍
BSZ050N03LSGATMA1 极低的栅极和输出电荷,加上极低的导通电阻和较小的封装尺寸,使OptiMOS™ 25V成为要求严格的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。
产品属性
晶体管极性: N-沟道
通道数: 1个通道
Vds - 漏极-源极击穿电压:30 V
Id - 连续漏极电流:40 A
Rds On - 漏极-源极电阻:6.2 mOhms
Vgs - 栅源电压:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 栅极源阈值电压:2.2 V
Qg - 栅极电荷:26 nC
最低工作温度:- 55 C
最高工作温度: + 150 C
Pd - 功率耗散: 50 W
通道模式: 增强型
配置: 单通道
下降时间:3.6 ns
正向电导率 - 最小: 38 S
高度:1.1毫米
长度: 3.3 mm
上升时间: 4 ns
晶体管类型: 1个N-沟道
典型的关断延迟时间: 21 ns
典型的开启延迟时间: 5.2 ns
宽度:3.3毫米
单位重量:38.760毫克
特点
减少了功率损耗
极低的栅极和输出电荷
改善EMI性能,不需要外部缓冲网络
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
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