商品名称:IPD35N10S3L26ATMA1
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:TO-252-3
货期:全新原装
库存数量:3000 件
N通道IPD35N10S3L26ATMA1 100V汽车级MOSFET晶体管 TO-252-3
规格
晶体管极性: N-沟道
通道数: 1个通道
Vds - 漏极-源极击穿电压:100V
Id - 连续漏极电流:35 A
Rds On - 漏极-源极电阻:20 mOhms
Vgs - 栅极源电压:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压:1.2 V
Qg - 栅极电荷: 39 nC
最低工作温度:- 55 C
最高工作温度: + 175 C
Pd - 功率耗散: 71 W
通道模式: 增强型
产品说明
IPD35N10S3L26ATMA1是OptiMOS®-T功率晶体管,优化了总栅极电荷,可用于较小的驱动输出级。
特点
N沟道 - 增强模式
100%雪崩测试
175°C工作温度
最大电流可达180A
MSL1峰值返回温度高达260°C
低开关功率和传导功率损耗,热效率高
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
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