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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:RGE60TS65DGC13

商品名称:IGBT 单管

品牌:ROHM

年份:25+

封装:TO-247GE

货期:全新原装

库存数量:1500

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技术参数

制造商
ROHM
型号
RGE60TS65DGC13
封装
TO-247GE
描述
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE

产品描述

RGE60TS65DGC13场截止沟道IGBT具有低集电极-发射极饱和电压、低开关损耗和短路耐受时间(5μs)的特点。 该IGBT可确保在高压力条件下可靠运行。内置的快速软恢复FRD提高了效率,而无铅电镀则确保符合RoHS规范。


技术规格

RGE60TS65DGC13的主要规格包括:

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):51 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,30A

功率 - 最大值:166 W

开关能量:640µJ(导通),570µJ(关断)

输入类型:标准

栅极电荷:63 nC

25°C 时 Td(开/关)值:40ns/114ns

测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr):166 ns

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3


RGE60TS65DGC13 IGBT是通用逆变器、不间断电源 (UPS)系统、电源调节器和焊机的理想之选,可为现代电源管理需求提供强大的解决方案。


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ROHM

ROHM

罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一,总部所在地设在日本京都市,ROHM设计和制造半导体、集成电路以及其它电子元器件。这些元件在快速变化、不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场均占有一席之地。 一些最具创新意义的设备和装置都采用了 ROHM 产品。

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