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STL170N4LF8是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟道栅极结构。

它确保了极低导通电阻的先进性能指标，同时降低了内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。

STL170N4LF8的属性

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerFLAT-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 167 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 34.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 111 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降时间: 3.5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 2.5 ns

工厂包装数量:  3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 26 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

应用

• 工业工具、电机驱动和设备

• 工业电机控制

• 电源和转换器

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