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STGD6NC60HDT4 是意法半导体推出的 N沟道IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于 PowerMESH™ 系列，采用 DPAK（TO-252-3）表面贴装封装，适用于高频开关电源（SMPS）、电机驱动及工业逆变器等应用。该器件采用先进的超结技术，具有低导通压降（VCE(sat)）、快速开关性能及优异的散热能力，可显著提升系统效率并减少功率损耗。

核心特性

高耐压：600V 集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于 工业电源及电机驱动应用。

高电流能力：15A 连续集电极电流（IC），脉冲电流 21A（Icm），满足瞬态高负载需求。

低导通压降：2.5V（最大值）@15V VGE, 3A IC，减少导通损耗。

快速开关性能：开关延迟时间（Td(on/off)）12ns/76ns，适用于 高频PWM控制 应用。

低开关损耗：导通能量（Eon）20µJ，关断能量（Eoff）68µJ，优化高频效率。

集成快速恢复二极管：反向恢复时间（trr）21ns，减少开关噪声。

宽温工作范围：-55°C ~ +150°C（结温），符合 工业及汽车电子 严苛环境要求。

封装形式：DPAK（TO-252-3），表面贴装，便于自动化生产。

热阻（RθJC）：3.5°C/W，支持高效散热设计。

最大功率耗散：56W，需配合适当散热措施。

 应用

• 高频逆变器

• 开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）在硬开关和谐振拓扑结构中的应用

• 电机驱动器

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