商品名称：IXTH24N50L
数据手册：
IXTH24N50L.pdf
品牌：IXYS
年份：23+
封装：TO-247-3
货期：全新原装
库存数量：5000 件
IXTH24N50L 是N通道增强模式功率MOSFET，设计用于线性操作，采用国际标准封装。该线性功率MOSFET具有扩展FBSOA，具有氮化铝隔离的miniBLOC，高功率密度，节省空间且易于安装的封装，以及符合UL94 V-0可燃性分类的成型环氧树脂。
该MOSFET可用于可编程负载，电流调节器，DC-DC转换器，电池充电器，DC斩波器以及温度和照明控制等应用。
规格
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：500 V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：24 A (Tc)
驱动电压：20V
不同 Id，Vgs时的 Rds On：300毫欧 @ 500mA、20V
不同Id时的Vgs（th）：5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：160 nC @ 20 V
Vgs (最大值)：±30V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2500 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率：400W (Tc)
工作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247 (IXTH)
供应商器件封装：TO-247-3
基本产品编号：IXTH24
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
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