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描述

IXTP160N10T

IXYS

TO-220-3

15000

通孔 N 通道 100 V 160A（Tc） 430W（Tc） TO-220-3

MRH25N12U3SR

Microchip

SMD

3000

250V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH15N19U3SR

Microchip

SMD

3000

150V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH10N22U3SR

Microchip

SMD

3000

增强型 N 沟道抗辐射MOSFET，150°C、100V U3

RCX450N20

ROHM

TO-220-3

5000

通孔 N 通道 200 V 45A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM

NTHL099N60S5

ON

TO-247-3

2500

MOSFET - 功率，单 N 沟道，SUPERFET V，易驱动，TO247-3L 600 V，99 m，33 A

NTBGS1D5N06C

ON

D2PAK-7

25000

MOSFET - 功率，单 N 沟道，D2PAK7 60 V，1.55 m，267 A

NVMFS5C410NWFAFT1G

ON

5-DFN

15000

MOSFET - 功率，单 N 沟道 40 V，0.92 m，300 A

NTB7D3N15MC

ON

TO-263-3

5000

MOSFET - N 沟道屏蔽栅 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A

STL175N4LF8AG

ST

PowerFLAT-4

1000

N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装