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AONS36348 30V N沟道MOSFET

产品属性

FET型N沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏极-源极电压（Vdss）30 V

电流-25°C时的连续漏极（Id）24A（Ta），50A（Tc）

驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）4.5V，10V

Id时Rds On（Max），20A、10V时Vgs 7mOhm

Vgs（th）（最大值）@Id 2.1V@250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs 20 nC@10 V

电压（最大值）±20V

输入电容（Ciss）（最大）@Vds 800 pF@15 V

FET特性-

功耗（最大）6.2W（Ta），26W（Tc）

工作温度-55°C~150°C（TJ）

安装类型表面安装

供应商设备包8-DFN（5x6）

封装/机箱8-PowerSMD，扁平导线

一般说明

• 沟槽功率MOSFET技术30V

• RDS低（打开）

• 低栅极电荷

• 高电流能力

• 符合RoHS和无卤素标准

应用

• 计算、服务器和POL中的DC/DC转换器

• 电信和工业中的隔离DC/DC转换器

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