商品名称:ISK018NE1LM7
数据手册:ISK018NE1LM7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:PG-TSON-8-5
货期:全新原装
库存数量:1000 件
ISK018NE1LM7是业内首款15 V额定沟槽式功率MOSFET产品组合的一部分,具有2.15 mOhm的极低导通电阻(RDS(on)),同时提供超过500 A的脉冲电流能力,典型热阻结到外壳底部(RTHJC)为1.6 K/W。4 mm2的小尺寸封装可显著节省空间,实现PCB布局灵活性,同时改善外形尺寸。
特征描述
新型15 V沟槽式功率MOSFET技术
RDS(ON)为2.15 mOhm
QG为9 NC,QOSS为8,9 NC
超低封装寄生效应
小型封装轮廓
优势
高比率DC-DC转换中的最佳配合
减少传导损耗
高效率
最佳开关性能
显著节省空间
应用
• SMPS
• 服务器
• Datacom
• 人工智能
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
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