商品名称:BSC012N06NS
数据手册:BSC012N06NS.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:8-PowerTDFN
货期:全新原装
库存数量:1000 件
BSC012N06NS 是采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ MOSFET 晶体管,它扩展了 OptiMOS™ 3 和 5 产品组合,不仅提高了稳健性,还实现了更高的功率密度,满足了降低系统成本和提高性能的需求。
主要特点
RDS(on) 最低,可实现最高功率密度和效率
工作温度高达 175°C,提高了可靠性
RthJC 低,热性能优异
更低的反向恢复电荷 (Qrr)
主要优势
更低的满载温度
并联更少
降低过冲
提高系统功率密度
体积更小
降低系统成本
降低工程成本和工作量
目标应用
服务器
电信
电动工具
低压驱动
D 类音频应用
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
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