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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

图片仅供参考,请参阅产品规格
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商品型号:BSC012N06NS

商品名称:BSC012N06NS

数据手册:BSC012N06NS.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封装:8-PowerTDFN

货期:全新原装

库存数量:1000

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公司名称:

技术参数

制造商
INFINEON
型号
BSC012N06NS
封装
8-PowerTDFN
描述
表面贴装型 N 通道 60 V 36A(Ta),306A(Tc) 214W(Tc) PG-TSON-8-3

产品描述

BSC012N06NS 是采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ MOSFET 晶体管,它扩展了 OptiMOS™ 3 和 5 产品组合,不仅提高了稳健性,还实现了更高的功率密度,满足了降低系统成本和提高性能的需求。


主要特点

RDS(on) 最低,可实现最高功率密度和效率

工作温度高达 175°C,提高了可靠性

RthJC 低,热性能优异

更低的反向恢复电荷 (Qrr)


主要优势

更低的满载温度

并联更少

降低过冲

提高系统功率密度

体积更小

降低系统成本

降低工程成本和工作量


目标应用

服务器

电信

电动工具

低压驱动

D 类音频应用


相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

STL135N8F7AG

ST

PowerFLAT™ 5x6

15000

汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

STW40N95K5

ST

TO-247

8000

N沟道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装

STW48N60M6

ST

TO-247-3

1000

N沟道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-247封装

STF22NM60N

ST

TO-220-3

50000

N沟道600 V、0.2 Ohm、16 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220FP封装

NIS5132MN4TXGHW

ON

SOP-8

9000

高性能 N 沟道 MOSFET

IXTP160N10T

IXYS

TO-220-3

15000

通孔 N 通道 100 V 160A(Tc) 430W(Tc) TO-220-3

MRH25N12U3SR

Microchip

SMD

3000

250V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH15N19U3SR

Microchip

SMD

3000

150V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH10N22U3SR

Microchip

SMD

3000

增强型 N 沟道抗辐射MOSFET,150°C、100V U3

RCX450N20

ROHM

TO-220-3

5000

通孔 N 通道 200 V 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗?

    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗?

    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗?

    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货?多久能到?

    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗?

    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

INFINEON

INFINEON

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…

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