IQE004NE1LM7SC - N 沟道 MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：IQE004NE1LM7SC

商品名称：IQE004NE1LM7SC

数据手册：IQE004NE1LM7SC.pdf

品牌：INFINEON

年份：23+

封装：PG-WHSON-8

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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技术参数

制造商

INFINEON

型号

IQE004NE1LM7SC

封装

PG-WHSON-8

描述

表面贴装型 N 通道 15 V 2.1W（Ta），89W（Tc） PG-WHSON-8

产品描述

IQE004NE1LM7SC是业内首个15V沟槽式功率MOSFET产品组合的一部分。与OptiMOS™5 25 V相比，击穿电压降低，RDS（on）和FOMQG改善约30%，FOMQOSS改善约40%。双侧冷却功能增强了热管理能力，将高功率SMPS应用的功率密度和效率提升到新的水平。

规格

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：15 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：58A (Ta), 379A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，7V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.45mOhm @ 30A, 7V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 432µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：55 nC @ 7 V

Vgs（最大值）：±7V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6240 pF @ 7.5 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），89W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-WHSON-8

封装/外壳：8-PowerWDFN

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
2.公司商品都是原装正品吗？

答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
4.我可以通过公司网站进行询价吗？

答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
5.下单后什么时候能发货？多久能到？

答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
6.公司能开发票吗？

答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。

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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…

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