NVBG1000N170M1 1700V M1 平面 SiC MOSFET 专为快速开关应用而优化。平面技术能可靠地使用负栅极电压驱动和关闭栅极上的尖峰。该系列在 20V 栅极驱动时具有最佳性能，但在 18V 栅极驱动时也能很好地工作。
产品属性
FET 类型： N 通道
技术： SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）： 1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） ：20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.43 欧姆 @ 2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V @ 640µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC @ 20 V
Vgs（最大值）： +25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）： 51W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
等级： 汽车级
资质： AEC-Q101
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： D2PAK-7
封装/外壳： TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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