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NTBG020N120SC1 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用全新技术，与硅器件相比，具有更出色的开关性能和更高的可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻，可确保低电容和低栅极电荷。1200V EliteSiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。此系列MOSFET具有阻断电压、高速开关、低电容等特点，并可在-55°C至175°C的温度范围内工作。

产品属性

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

技术: SiC

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: D2PAK-7

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV

Id-连续漏极电流: 98 A

Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 15 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.3 V

Qg-栅极电荷: 220 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 468 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降时间: 9 ns

正向跨导 - 最小值: 34 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 20 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 42 ns

典型接通延迟时间: 22 ns

单位重量: 4.675 g

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