C3M0021120D 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。
C3M0021120D 的特点
第三代碳化硅 MOSFET 技术
高阻断电压,低导通电阻
高速开关,低电容
具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
无卤素,符合 RoHS 规范
C3M0021120D 的优点
降低开关损耗,最大限度地减少栅极振铃
更高的系统效率
降低冷却要求
提高功率密度
提高系统开关频率
C3M0021120D 的应用
太阳能逆变器
电动汽车电机驱动
高压 DC/DC 转换器
开关模式电源
负载开关
型号
品牌
封装
数量
描述
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻塞电压,低导通电阻高速开关,低电容快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)无卤素,符合 RoHS 规范C3M0060065D 的优点更高的系统效率降低冷却要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术优化封装,具有独立的驱动源引脚漏极和源极之间的爬电距离为 8 毫米高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)无卤素,符合…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽车 N 沟道增强模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶体管。E4M0060075K1 的特点优化封装,具有独立的驱动源引脚高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容本征二极管速度快,反向恢复 (Qrr) 低无卤素,符合 RoHS 规范通过汽车认证 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽车 N 沟道增强模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶体管。E4M0045075K1 的特点优化封装,具有独立的驱动源引脚高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容本征二极管速度快,反向恢复 (Qrr) 低无卤素,符合 RoHS 规范通过汽车认证 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半桥、工业级 HV-H3TRB 认证、CTI 600、SiC 功率模块。Wolfspeed HAS模块非常适用于高频 工业应用,如感应加热、轨道/牵引、电机驱动器和电动汽车充电基础设施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源电压(Vdss):1200V25C 时电流 -…HAS530M12BM3
HAS530M12BM3是一款1200 V、2.67 mΩ、62 mm、半桥、工业 HV-H3TRB 认证的SiC 功率模块,主要用于感应加热、电机驱动、能源发电、智能电网、铁路、电动汽车快速充电等高频工业应用领域。HAS530M12BM3模块的特性漏源电压(Vdss):1200V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):530…电话咨询:86-755-83294757
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