C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。
C3M0045065K 的特性
C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术
优化封装,具有独立的驱动源引脚
漏极和源极之间的爬电距离为 8 毫米
高阻断电压,低导通电阻
高速开关,低电容
快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)
无卤素,符合 RoHS 规范
C3M0045065K 的优点
降低开关损耗,最大限度地减少栅极振铃
更高的系统效率
降低冷却要求
提高功率密度
提高系统开关频率
C3M0045065K 的应用
电动汽车充电器
服务器和电信 PSU
不间断电源
太阳能逆变器
SMPS
直流/直流转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻塞电压,低导通电阻高速开关,低电容快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)无卤素,符合 RoHS 规范C3M0060065D 的优点更高的系统效率降低冷却要求功率密度更高提高…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0021120D 的特点第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管无卤素,符合 RoHS 规范C3M0021120D 的优点降低开关损耗,最大限度地减少栅极振铃…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽车 N 沟道增强模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶体管。E4M0060075K1 的特点优化封装,具有独立的驱动源引脚高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容本征二极管速度快,反向恢复 (Qrr) 低无卤素,符合 RoHS 规范通过汽车认证 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽车 N 沟道增强模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶体管。E4M0045075K1 的特点优化封装,具有独立的驱动源引脚高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容本征二极管速度快,反向恢复 (Qrr) 低无卤素,符合 RoHS 规范通过汽车认证 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半桥、工业级 HV-H3TRB 认证、CTI 600、SiC 功率模块。Wolfspeed HAS模块非常适用于高频 工业应用,如感应加热、轨道/牵引、电机驱动器和电动汽车充电基础设施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源电压(Vdss):1200V25C 时电流 -…HAS530M12BM3
HAS530M12BM3是一款1200 V、2.67 mΩ、62 mm、半桥、工业 HV-H3TRB 认证的SiC 功率模块,主要用于感应加热、电机驱动、能源发电、智能电网、铁路、电动汽车快速充电等高频工业应用领域。HAS530M12BM3模块的特性漏源电压(Vdss):1200V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):530…电话咨询:86-755-83294757
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