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嵌入式和网络处理器

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NXH030F120M3F1PTG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,30 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑结构,F1 封装

封装:PIM-22
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH015P120M3F1PTG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,15 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,2 封装半桥拓扑结构,F1 封装

封装:PIM-18
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH015F120M3F1PTG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,15 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑,F1 封装

封装:PIM-22
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL099N60S5
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,SUPERFET V,易驱动,TO247-3L 600 V,99 m,33 A

封装:TO-247-3
10起
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCD57090BDWR2G
ON

产品说明:6.5A 栅极驱动器 容性耦合 5000Vrms 1 通道 8-SOIC

封装:SOIC-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBGS1D5N06C
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,D2PAK7 60 V,1.55 m,267 A

封装:D2PAK-7
10起
25000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NDSH50120C
ON

产品说明:碳化硅(SiC)肖特基二极管 – EliteSiC 50A 1200V D3 TO-247-2L封装

封装:TO-247-2L
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C410NWFAFT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 40 V,0.92 m,300 A

封装:5-DFN
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTB7D3N15MC
ON

产品说明:MOSFET - N 沟道屏蔽栅 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A

封装:TO-263-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTD360N65S3H
ON

产品说明:功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET III,FAST,650 V,10 A,360 欧姆,DPAK

封装:TO-252-3
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCD57090EDWR2G
ON

产品说明:隔离式大电流 IGBT/MOSFET 栅极驱动器

封装:SOIC-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP51561BBDWR2G
ON

产品说明:5kVrms隔离式双通道4.5/9A栅极驱动器

封装:SOIC-16
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NOIP1SN0300A-QTI
ON

产品说明:CMOS 图像传感器,0.3 MP (VGA),全局快门

封装:LCC-48
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS9D6P04M8LT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 P 沟道 -40 V,9.5 mΩ,-77 A

封装:5-DFN
10起
18800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP3296MNTXG
ON

产品说明:40A 叠加式同步降压稳压器

封装:WQFN-34
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FDH055N15A
ON

产品说明:150V N 沟道功率 Trench® MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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