SUPERFET V MOSFET(NTBL125N60S5H)是 onsemi 的第五代高压超结(SJ)MOSFET 系列产品。SUPERFET V 提供一流的 FOM (RDS(ON)·QG 和 RDS(ON)·EOSS) 不仅提高了重负载,还提高了轻负载效率。NTBL125N60S5H器件通过降低导通和开关损耗提供设计优势,同时支持 120 V/ns 的极端 MOSFET dVDS/dt 额定值。因此,SUPERFET V MOSFET FAST 系列有助于最大限度地提高系统效率和功率密度。
技术规格
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):125 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 2.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):37.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2036 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):152W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-HPSOF
应用领域
• 电信 / 服务器电源
• 电动汽车充电器 / UPS / 太阳能 / 工业电源
型号
品牌
封装
数量
描述
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