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深圳市明佳达电子有限公司
型号

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网 电力线收发器 锁相环 - PLL 射频采样收发器 逻辑 - 电平转换器 接口IC - 多速率重定时器 SAS 扩展器 功率放大器模块 时钟/计时，振荡器 时钟/定时 - 纳米定时器 数字交叉点开关 超声波收发器 时钟/定时 - 延迟线 读卡器控制器 逻辑 - 门和反相器 发射器 隔离式比较器 高速比较器 接口 - 多速率定时器 USB 控制器 CCD 信号处理器 光度测量前端 隔离放大器 数字显示控制器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片 无线通信模块

滤波器

SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

电路保护

浪涌抑制 IC ESD 抑制器/TVS 二极管 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 TVS - 混合技术

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

USB连接器 圆形连接器 汽车连接器 卡边缘连接器 板对板与夹层连接器 FFC、FPC（扁平柔性）连接器 背板连接器 矩形连接器 同轴连接器（射频） 矩形连接器 - 阵列，边缘型，夹层式（板对板）

传感器

光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器 汽车毫米波雷达传感器 图像传感器 雷达传感器 运动传感器 - 陀螺仪 超声波接收器、发射器（距离测量） 传感器模块 压力传感器 电流传感器 电容触摸传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

嵌入式和网络处理器

安全处理器
首页 /自营现货

品牌:

不限 Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

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操作

NTH4L018N075SC1

NTH4L018N075SC1

ON

产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET，N 沟道 - EliteSiC，13.5mohm，750V，M2，TO247-4L

封装：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NTH4L023N065M3S

NTH4L023N065M3S

ON

产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、23 欧姆、650 V、M3S、TO-247-4L

封装：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NVH4L023N065M3S

NVH4L023N065M3S

ON

产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、23 欧姆、650 V、M3S、TO-247-4L

封装：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NVHL1000N170M1

NVHL1000N170M1

ON

产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、960 欧姆、1700 V、M1、TO-247-3L

封装：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NVHL015N065SC1

NVHL015N065SC1

ON

产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET，N 沟道 - EliteSiC，12 欧姆，650V，M2，TO247-3L

封装：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NTH4L013N120M3S

NTH4L013N120M3S

ON

产品说明：碳化硅（SiC）MOSFET - EliteSiC，13 欧姆，1200 V，M3S

封装：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NVH4L095N065SC1

NVH4L095N065SC1

ON

产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET，N 沟道 - EliteSiC，70 欧姆，650V，M2，TO247-4L

封装：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NTCR013N120M3S

NTCR013N120M3S

ON

产品说明：碳化硅（SiC）MOSFET - EliteSiC，13 欧姆，1200 V，M3S

封装：Die
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NVH4L025N065SC1

NVH4L025N065SC1

ON

产品说明：碳化硅 MOSFET，N 沟道 - EliteSiC，21mΩ，650V，M2，TO247-4L

封装：TO-247-4
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NVH4L018N075SC1

NVH4L018N075SC1

ON

产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET，N 沟道 - EliteSiC，13.5mohm，750V，M2，TO247-4L

封装：TO-247-4
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NTH4L095N065SC1

NTH4L095N065SC1

ON

产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、70 欧姆、650 V、M2、TO-247-4L

封装：TO-247-4
10起
2990
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NXH011T120M3F2PTHG

NXH011T120M3F2PTHG

ON

产品说明：碳化硅 (SiC) 模块 - 11 欧姆 SiC M3S MOSFET，1200V，TNPC 拓扑，F2 封装

封装：PIM-29
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NXV08H250DPT2

NXV08H250DPT2

ON

产品说明：带压配信号引脚的汽车 80V 双半桥 Mosfet 模块，APM17

封装：APM17-MFA
10起
1800
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NXH800H120L7QDSG

NXH800H120L7QDSG

ON

产品说明：Qdual3 1200V 800A 半桥 IGBT 模块

封装：PIM-11
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NXV08B800DT1

NXV08B800DT1

ON

产品说明：汽车 80V、2 通道背靠背 Mosfet 模块，APM17

封装：APM17-MDC
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NXH030P120M3F1PTG

NXH030P120M3F1PTG

ON

产品说明：碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC，30 欧姆 SiC M3S MOSFET，1200 V，2 封装半桥拓扑结构，F1 封装

封装：PIM-18
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
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