NTH4L040N65S3F是一款由(onsemi)制造的650 V,65 A功率MOSFET,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能,并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此,NTH4L040N65S3F SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统,实现系统小型化和更高能效。
其关键参数
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 32.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):158 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5940 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):446W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-4
应用领域
NTH4L040N65S3F适用于需要高电压和大电流处理的场合,如 直流-直流转换器 、 电源管理 等应用。
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