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英飞凌采用TO-Leadless封装的OptiMOS™功率MOSFET为高达300A的大电流应用进行了优化，如叉车、轻型电动车（LEV）、电动工具、负载点（POL）、电信和电子保险丝。此外，封装尺寸缩小了60%，使其设计非常紧凑。与D²PAK 7-pin相比，TO-Leadless的占地面积大幅减少30%。高度减少了50%，在狭窄的应用中具有明显的优势，如机架或刀片服务器。

IPT015N10N5产品规格：

系列：OptiMOS™

FET 类型： N 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 100 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：300A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 @ 150A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V @ 250µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 211 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF @ 50 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 375W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： PG-HSOF-8-1  

封装/外壳： 8-PowerSFN  

基本产品编号： IPT015

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