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NTB7D3N15MC是安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道MOSFET，最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能（通过同类最佳的软体二极管）。与其他MOSFET相比，该MOSFET的Qrr更低。屏蔽栅极PowerTrench MOSFET降低了开关噪声/电磁干扰 (EMI)。

特性

屏蔽栅 MOSFET 技术

在 VGS = 10 V、ID = 62 A 时，最大 RDS(on) = 7.3 m

Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50

降低开关噪声/EMI

100% 通过 UIL 测试

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 规范标准

产品属性

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 101 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 53 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 166 W

通道模式: Enhancement

典型应用

ATX / 服务器 / 电信 PSU 的同步整流

电机驱动器和不间断电源

微型太阳能逆变器

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。