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描述

STL175N4LF8AG

ST

PowerFLAT-4

1000

N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装

STL170N4LF8

ST

PowerFLAT-4

1000

N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装

STL305N4LF8AG

ST

PowerFLAT-4

1000

汽车 N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET

STL165N10F8AG

ST

PowerFLAT-4

1000

N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 5x6 封装

STL300N4LF8

ST

PowerFLAT-4

1000

N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.8 mΩ、360 A、STripFET F8 功率 MOSFET

STL160N10F8

ST

PowerFLAT-4

1000

N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装

AIMZH120R030M1T

INFINEON

PG-TO247-4-11

1000

通孔 N 通道 1200 V 69A（Tc） 326W（Tc） PG-TO247-4-11

AIMZHN120R160M1T

INFINEON

PG-TO247-4-14

1000

通孔 N 通道 1200 V 17A（Tc） 109W（Tc） PG-TO247-4-14

AIMZH120R010M1T

INFINEON

PG-TO247-4-11

1000

通孔 N 通道 1200 V 202A（Tc） 750W（Tc） PG-TO247-4-11

AIMZHN120R120M1T

INFINEON

PG-TO247-4-14

1000

通孔 N 通道 1200 V 22A（Tc） 133W（Tc） PG-TO247-4-14