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深圳市明佳达电子有限公司
型号

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

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产品分类

集成电路（IC）

以太网 视频放大器 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器 模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器 仪表放大器 PCI Express 交换机

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

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存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

电阻器网络

首页 /分立半导体/N 沟道 MOSFET
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：AIMZA75R040M1H

商品名称：N 沟道MOSFET

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：PG-TO247-4

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
INFINEON
型号
AIMZA75R040M1H
封装
PG-TO247-4
描述
通孔 N 通道 750 V 185W（Tc） PG-TO247-4

产品描述

AIMZA75R040M1H是利用宽带隙 SiC 材料的特性，750VCoolSiC™MOSFET 是在英飞凌 20 多年来开发的固态硅坩埚技术基础上建造的，在性能、可靠性和易熔性方面实现了独特的组合。它适用于高温和高湿度操作，可实现最简化、最经济、最高系统效率的部署。


产品属性

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：750 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44A (Tj)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：37 毫欧 @ 16.6A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 6mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：34 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1135 pF @ 500 V

功率耗散（最大值）：185W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO247-4

封装/外壳：TO-247-4


应用

单向和双向板载充电器和高压-低压直流转换器：

硬开关半桥

软开关拓扑

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型号

品牌

封装

数量

描述

STL220N6F7

ST

PowerFLAT 5x6

1500

N沟道 60 V，典型值 1.2 mΩ，120 A STripFET F7 功率MOSFET，采用PowerFLAT 5x6封装

IXFH60N50P3

IXYS

TO-247-3

20000

通孔 N 通道 500 V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-247AD（IXFH）

STL135N8F7AG

ST

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15000

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STW40N95K5

ST

TO-247

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N沟道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装

STW48N60M6

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STF22NM60N

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NIS5132MN4TXGHW

ON

SOP-8

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高性能 N 沟道 MOSFET

IXTP160N10T

IXYS

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MRH25N12U3SR

Microchip

SMD

3000

250V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH15N19U3SR

Microchip

SMD

3000

150V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

常见问题

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    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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