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STFU23N80K5 - 800V N 沟道 MDmesh K5 功率 MOSFET 晶体管，采用 TO-220FP 超窄引线封装

型号：STFU23N80K5

封装：TO-220-3

类型：MOSFET 晶体管

描述：N 沟道 800V 16A (Tc) 35W (Tc) 通孔 TO-220FP

产品概述

STFU23N80K5 - 这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其结果是大幅降低了导通电阻和超低栅极电荷，适用于需要出色功率密度和高效率的应用。

产品属性

FET 类型 N 通道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss） 800 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 280 毫欧 @ 8A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 100µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 33 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±30V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1000 pF @ 100 V  

功率耗散（最大值） 35W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型 通孔  

供应商器件封装 TO-220FP  

封装/外壳 TO-220-3

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