NVH4L030N120M3S - 1200V、39mohm、采用 TO247-4L 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET 晶体管
型号：NVH4L030N120M3S
封装：TO-247-4
类型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶体管
描述：N 通道 1200V 73A (Tc) 313W (Tc) 通孔 TO-247-4L
产品概述
NVH4L030N120M3S - EliteSiC MOSFET 采用全新技术，与硅相比，开关性能更优越，可靠性更高。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统优势包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更小的 EMI 和更小的系统尺寸。
产品特性
典型 RDS(on) = 29mΩ，Vgs = 18V，Id = 30A
通过 AEC-Q101 汽车认证
新型 M3S 技术：28.5 欧姆 RDS(ON)，低 EON 和 EOFF 损耗
15V 至 18V 栅极驱动
器件无铅，符合 RoHS 规范
典型应用
- 汽车板载充电器
- 用于电动汽车/混合动力汽车的汽车 DC-DC 转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
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