NTH4L030N120M3S - 39mOhm、1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 晶体管,采用 TO-247-4L 封装
型号:NTH4L030N120M3S
封装:TO-247-4
类型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管
描述:N 通道 1200V 73A (Tc) 313W (Tc) 通孔 TO-247-4L
产品概述
NTH4L030N120M3S - 新型 1200V M3S 平面 SiC MOSFET 系列针对快速开关应用进行了优化。平面技术可在负栅极电压驱动和栅极尖峰关断的情况下可靠工作。该系列在使用 18V 栅极驱动时具有最佳性能,但在使用 15V 栅极驱动时也能很好地工作。
产品特性
TO-247-4L 封装,采用开尔文源配置
出色的 FOM [ = Rdson * Eoss ]。
超低栅极电荷(QG(tot) = 107 nC)
高速开关,低电容(Coss = 106 pF)
15V 至 18V 栅极驱动
新型 M3S 技术:29 欧姆 RDS(ON),低 Eon 和 Eoff 损耗
100% 通过雪崩测试
无卤素,符合 RoHS 规范
典型应用
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电站
- 不间断电源(UPS)
- 储能系统
- SMPS(开关模式电源)
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
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