NTHL040N65S3F属于SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。
产品属性
系列： SuperFET® III
包装： 管件
FET 类型： N 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） ：40 毫欧 @ 32.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V @ 6.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 158 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5940 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）： 446W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247-3
封装/外壳： TO-247-3
应用
电信
云系统
工业
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
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